Продукція > ONSEMI > NTTFS5C670NLTAG
NTTFS5C670NLTAG

NTTFS5C670NLTAG onsemi

nttfs5c670nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+71.50 грн
3000+67.20 грн
4500+66.37 грн
7500+61.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFS5C670NLTAG onsemi

Description: ONSEMI - NTTFS5C670NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 6500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 63W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm.

Інші пропозиції NTTFS5C670NLTAG за ціною від 67.78 грн до 137.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTTFS5C670NLTAG NTTFS5C670NLTAG onsemi nttfs5c670nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.78 грн
10+97.69 грн
25+89.01 грн
100+74.60 грн
250+70.35 грн
500+67.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTAG NTTFS5C670NLTAG ONSEMI ONSM-S-A0013300303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTTFS5C670NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 6500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 63W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTAG NTTFS5C670NLTAG onsemi NTTFS5C670NL_D-2319216.pdf MOSFETs T6 60V NCH LL IN U8FL
на замовлення 15330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTAG NTTFS5C670NLTAG ONSEMI ONSM-S-A0013300303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTTFS5C670NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0054 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTAG ON Semiconductor nttfs5c670nl-d.pdf
на замовлення 970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTAG nttfs5c670nl-d.pdf
NTTFS5C670NLTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+137.78 грн
10+97.69 грн
25+89.01 грн
100+74.60 грн
250+70.35 грн
500+67.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTAG ONSM-S-A0013300303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTTFS5C670NLTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5C670NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 6500 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 63W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTAG NTTFS5C670NL_D-2319216.pdf
NTTFS5C670NLTAG
Виробник: onsemi
MOSFETs T6 60V NCH LL IN U8FL
на замовлення 15330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTAG ONSM-S-A0013300303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTTFS5C670NLTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5C670NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0054 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5C670NLTAG nttfs5c670nl-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.