Продукція > ONSEMI > NTTFS5D1N06HLTAG
NTTFS5D1N06HLTAG

NTTFS5D1N06HLTAG onsemi

nttfs5d1n06hl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 18A/78A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+41.71 грн
3000+37.81 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFS5D1N06HLTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/78A 8WDFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 16A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 78A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NTTFS5D1N06HLTAG за ціною від 46.27 грн до 94.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTTFS5D1N06HLTAG NTTFS5D1N06HLTAG onsemi nttfs5d1n06hl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 18A/78A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 30 V
на замовлення 3385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.68 грн
10+74.79 грн
100+58.17 грн
500+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D1N06HLTAG NTTFS5D1N06HLTAG onsemi NTTFS5D1N06HL_D-2319134.pdf MOSFETs 60V T8 IN U8FL HEFET
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D1N06HLTAG nttfs5d1n06hl-d.pdf
NTTFS5D1N06HLTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 18A/78A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 30 V
на замовлення 3385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+94.68 грн
10+74.79 грн
100+58.17 грн
500+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D1N06HLTAG NTTFS5D1N06HL_D-2319134.pdf
NTTFS5D1N06HLTAG
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V T8 IN U8FL HEFET
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.