Продукція > ONSEMI > NTTFS5D9N08HTWG
NTTFS5D9N08HTWG

NTTFS5D9N08HTWG ONSEMI

nttfs5d9n08h-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5D9N08HTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0046 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+92.09 грн
500+77.66 грн
1000+61.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFS5D9N08HTWG ONSEMI

Description: ONSEMI - NTTFS5D9N08HTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0046 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 84A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTTFS5D9N08HTWG за ціною від 54.45 грн до 171.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTTFS5D9N08HTWG NTTFS5D9N08HTWG Виробник : onsemi nttfs5d9n08h-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 13A/84A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 40 V
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.46 грн
10+91.31 грн
100+73.44 грн
500+62.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D9N08HTWG NTTFS5D9N08HTWG Виробник : onsemi NTTFS5D9N08H-D.PDF MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 80 V, 84 A, 5.9 mohm
на замовлення 4236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.67 грн
10+97.00 грн
100+66.05 грн
500+60.40 грн
1000+59.19 грн
3000+54.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D9N08HTWG NTTFS5D9N08HTWG Виробник : ONSEMI nttfs5d9n08h-d.pdf Description: ONSEMI - NTTFS5D9N08HTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0046 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+171.50 грн
10+128.41 грн
100+92.09 грн
500+77.66 грн
1000+61.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D9N08HTWG Виробник : ON Semiconductor nttfs5d9n08h-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D9N08HTWG NTTFS5D9N08HTWG Виробник : onsemi nttfs5d9n08h-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 13A/84A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.