NTTFS6H850NLTAG ON Semiconductor
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFS6H850NLTAG ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 73W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V.
Інші пропозиції NTTFS6H850NLTAG за ціною від 46.02 грн до 104.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTTFS6H850NLTAG | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| NTTFS6H850NLTAG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V |
на замовлення 2262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|