Продукція > ONSEMI > NTTFS6H850NTAG

NTTFS6H850NTAG onsemi


nttfs6h850n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFS6H850NTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NTTFS6H850NTAG за ціною від 26.05 грн до 108.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTTFS6H850NTAG NTTFS6H850NTAG onsemi nttfs6h850n-d.pdf MOSFETs TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 6135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.65 грн
10+43.76 грн
25+37.99 грн
100+30.58 грн
500+28.28 грн
1000+28.21 грн
1500+26.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NTAG NTTFS6H850NTAG onsemi nttfs6h850n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.41 грн
10+66.34 грн
100+44.29 грн
500+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NTAG nttfs6h850n-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 6135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+69.65 грн
10+43.76 грн
25+37.99 грн
100+30.58 грн
500+28.28 грн
1000+28.21 грн
1500+26.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NTAG nttfs6h850n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+108.41 грн
10+66.34 грн
100+44.29 грн
500+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.