Технічний опис NTTFS6H854NTAG ON Semiconductor
Description: TRENCH 8 80V NFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V.
Інші пропозиції NTTFS6H854NTAG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
NTTFS6H854NTAG | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
NTTFS6H854NTAG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NTTFS6H854NTAG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NTTFS6H854NTAG | Виробник : onsemi |
![]() |
товару немає в наявності |