NTTFS6H860NLTAG onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 21.19 грн |
| 3000+ | 18.69 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFS6H860NLTAG onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V.
Інші пропозиції NTTFS6H860NLTAG за ціною від 15.65 грн до 85.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTTFS6H860NLTAG | onsemi |
MOSFETs T8 80V LL U8FL |
на замовлення 886 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTTFS6H860NLTAG | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V |
на замовлення 7457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTTFS6H860NLTAG | ON Semiconductor |
MOSFET T8 80V LL U8FL |
на замовлення 2230 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTTFS6H860NLTAG |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs T8 80V LL U8FL
MOSFETs T8 80V LL U8FL
на замовлення 886 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 61.27 грн |
| 10+ | 42.57 грн |
| 100+ | 25.50 грн |
| 500+ | 20.24 грн |
| 1000+ | 20.16 грн |
| 1500+ | 16.85 грн |
| 3000+ | 15.65 грн |
| NTTFS6H860NLTAG |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V
на замовлення 7457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 85.70 грн |
| 10+ | 51.81 грн |
| 50+ | 38.31 грн |
| 100+ | 31.85 грн |
| 500+ | 24.63 грн |
| NTTFS6H860NLTAG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET T8 80V LL U8FL
MOSFET T8 80V LL U8FL
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)


