NTTFS6H860NLTAG onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 19.19 грн |
| 3000+ | 16.92 грн |
| 4500+ | 16.13 грн |
| 7500+ | 14.30 грн |
| 10500+ | 13.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFS6H860NLTAG onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V.
Інші пропозиції NTTFS6H860NLTAG за ціною від 20.25 грн до 71.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTTFS6H860NLTAG | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V |
на замовлення 12629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
NTTFS6H860NLTAG | onsemi |
MOSFETs T8 80V LL U8FL |
на замовлення 886 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTTFS6H860NLTAG | ON Semiconductor |
|
на замовлення 1450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| NTTFS6H860NLTAG | ON Semiconductor |
MOSFET T8 80V LL U8FL |
на замовлення 2230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTTFS6H860NLTAG |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 40 V
на замовлення 12629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 71.17 грн |
| 10+ | 42.70 грн |
| 100+ | 27.94 грн |
| 500+ | 20.25 грн |
| NTTFS6H860NLTAG |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs T8 80V LL U8FL
MOSFETs T8 80V LL U8FL
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NTTFS6H860NLTAG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| NTTFS6H860NLTAG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET T8 80V LL U8FL
MOSFET T8 80V LL U8FL
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)


