Продукція > ONSEMI > NTTFS6H880NLTAG
NTTFS6H880NLTAG

NTTFS6H880NLTAG onsemi

nttfs6h880nl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+18.48 грн
3000+16.26 грн
4500+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFS6H880NLTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V.

Інші пропозиції NTTFS6H880NLTAG за ціною від 12.99 грн до 68.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTTFS6H880NLTAG NTTFS6H880NLTAG Виробник : onsemi NTTFS6H880NL-D.PDF MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 80V, 22A, 29m?ohm
на замовлення 6995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+57.68 грн
10+38.93 грн
100+23.30 грн
500+19.92 грн
1000+14.25 грн
1500+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H880NLTAG NTTFS6H880NLTAG Виробник : onsemi nttfs6h880nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
на замовлення 7327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.98 грн
10+41.66 грн
100+27.10 грн
500+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H880NLTAG Виробник : ONSEMI nttfs6h880nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; Idm: 83A; 17W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 83A
Power dissipation: 17W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.