Продукція > ONSEMI > NTTFS6H880NLTAG

NTTFS6H880NLTAG onsemi


nttfs6h880nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+17.20 грн
3000+15.14 грн
4500+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFS6H880NLTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NTTFS6H880NLTAG за ціною від 15.01 грн до 66.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTTFS6H880NLTAG NTTFS6H880NLTAG onsemi nttfs6h880nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
на замовлення 7327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.23 грн
10+38.79 грн
100+25.24 грн
500+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H880NLTAG NTTFS6H880NLTAG onsemi nttfs6h880nl-d.pdf MOSFETs T8 80V LL U8FL
на замовлення 4414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.44 грн
10+41.01 грн
100+23.19 грн
500+17.90 грн
1000+17.13 грн
1500+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H880NLTAG nttfs6h880nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
на замовлення 7327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+64.23 грн
10+38.79 грн
100+25.24 грн
500+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H880NLTAG nttfs6h880nl-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs T8 80V LL U8FL
на замовлення 4414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+66.44 грн
10+41.01 грн
100+23.19 грн
500+17.90 грн
1000+17.13 грн
1500+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.