Продукція > ONSEMI > NTTFSS1D1N02P1E
NTTFSS1D1N02P1E

NTTFSS1D1N02P1E onsemi

nttfss1d1n02p1e-d.pdf Виробник: onsemi
Description: 25V PT11E IN 3X3 SD PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 264A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 934µA
Supplier Device Package: 9-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 13 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+68.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFSS1D1N02P1E onsemi

Description: 25V PT11E IN 3X3 SD PACKAGE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 9-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 264A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 27A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 934µA, Supplier Device Package: 9-WDFN (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 13 V.

Інші пропозиції NTTFSS1D1N02P1E за ціною від 65.68 грн до 217.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTTFSS1D1N02P1E NTTFSS1D1N02P1E Виробник : onsemi nttfss1d1n02p1e-d.pdf Description: 25V PT11E IN 3X3 SD PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 264A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 934µA
Supplier Device Package: 9-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 13 V
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.53 грн
10+135.70 грн
100+93.71 грн
500+71.09 грн
1000+65.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFSS1D1N02P1E Виробник : ONSEMI nttfss1d1n02p1e-d.pdf NTTFSS1D1N02P1E SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.