NTUD3169CZT5G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.22A SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 125mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.5pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 4.43 грн |
| 16000+ | 3.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTUD3169CZT5G onsemi
Description: ONSEMI - NTUD3169CZT5G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 220 mA, 220 mA, 0.75 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.75ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 125mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-963, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.75ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 125mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTUD3169CZT5G за ціною від 3.15 грн до 28.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTUD3169CZT5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.2A/0.22A 6-Pin SOT-963 T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTUD3169CZT5G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTUD3169CZT5G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 220 mA, 220 mA, 0.75 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.75ohm Verlustleistung, p-Kanal: 125mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-963 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.75ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 125mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 18480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTUD3169CZT5G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.22A SOT963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 125mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.5pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active |
на замовлення 20680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTUD3169CZT5G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 20V Mosfet Complementary |
на замовлення 19974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTUD3169CZT5G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTUD3169CZT5G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 220 mA, 220 mA, 0.75 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.75ohm Verlustleistung, p-Kanal: 125mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-963 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.75ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 125mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 18480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|