Продукція > ONSEMI > NTUD3169CZT5G
NTUD3169CZT5G

NTUD3169CZT5G onsemi

ntud3169cz-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.22A SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 125mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.5pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+4.00 грн
16000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTUD3169CZT5G onsemi

Description: ONSEMI - NTUD3169CZT5G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 220 mA, 220 mA, 0.75 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.75ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 125mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-963, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.75ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 125mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTUD3169CZT5G за ціною від 4.46 грн до 22.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTUD3169CZT5G NTUD3169CZT5G onsemi ntud3169cz-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.22A SOT963
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-963
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.5pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 125mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 20680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.32 грн
23+12.97 грн
100+8.12 грн
500+5.64 грн
1000+5.00 грн
2000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTUD3169CZT5G NTUD3169CZT5G onsemi NTUD3169CZ-D.PDF MOSFETs 20V Mosfet Complementary
на замовлення 19974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTUD3169CZT5G NTUD3169CZT5G ONSEMI ONSM-S-A0013300186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTUD3169CZT5G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 220 mA, 220 mA, 0.75 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.75ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.75ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTUD3169CZT5G NTUD3169CZT5G ONSEMI ONSM-S-A0013300186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTUD3169CZT5G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 220 mA, 220 mA, 0.75 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.75ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.75ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTUD3169CZT5G ntud3169cz-d.pdf
NTUD3169CZT5G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.22A SOT963
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-963
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.5pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 125mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 20680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.32 грн
23+12.97 грн
100+8.12 грн
500+5.64 грн
1000+5.00 грн
2000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTUD3169CZT5G NTUD3169CZ-D.PDF
NTUD3169CZT5G
Виробник: onsemi
MOSFETs 20V Mosfet Complementary
на замовлення 19974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTUD3169CZT5G ONSM-S-A0013300186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTUD3169CZT5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTUD3169CZT5G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 220 mA, 220 mA, 0.75 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.75ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.75ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTUD3169CZT5G ONSM-S-A0013300186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTUD3169CZT5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTUD3169CZT5G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 220 mA, 220 mA, 0.75 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.75ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.75ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.