Продукція > ONSEMI > NTUD3170NZT5G
NTUD3170NZT5G

NTUD3170NZT5G onsemi

ntud3170nz-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 125mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.5pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+7.19 грн
16000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTUD3170NZT5G onsemi

Description: ONSEMI - NTUD3170NZT5G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 220 mA, 220 mA, 0.75 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.75ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 125mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-963, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.75ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 125mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTUD3170NZT5G за ціною від 8.40 грн до 72.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTUD3170NZT5G NTUD3170NZT5G ONSEMI 2354029.pdf Description: ONSEMI - NTUD3170NZT5G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 220 mA, 220 mA, 0.75 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.75ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.75ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.56 грн
250+20.43 грн
1000+12.04 грн
4000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTUD3170NZT5G NTUD3170NZT5G onsemi ntud3170nz-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 125mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.5pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 64240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.77 грн
14+23.24 грн
100+14.78 грн
500+10.44 грн
1000+9.33 грн
2000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTUD3170NZT5G NTUD3170NZT5G ONSEMI 2354029.pdf Description: ONSEMI - NTUD3170NZT5G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 220 mA, 220 mA, 0.75 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.75ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.75ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.99 грн
50+33.56 грн
250+20.43 грн
1000+12.04 грн
4000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NTUD3170NZT5G NTUD3170NZT5G onsemi ntud3170nz-d.pdf MOSFETs 20V Trench N-Channel
на замовлення 86159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.53 грн
10+45.37 грн
100+26.09 грн
500+20.96 грн
1000+17.30 грн
2500+17.16 грн
5000+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTUD3170NZT5G 2354029.pdf
NTUD3170NZT5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTUD3170NZT5G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 220 mA, 220 mA, 0.75 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.75ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.75ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.56 грн
250+20.43 грн
1000+12.04 грн
4000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTUD3170NZT5G ntud3170nz-d.pdf
NTUD3170NZT5G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 125mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.5pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 64240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.77 грн
14+23.24 грн
100+14.78 грн
500+10.44 грн
1000+9.33 грн
2000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTUD3170NZT5G 2354029.pdf
NTUD3170NZT5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTUD3170NZT5G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 220 mA, 220 mA, 0.75 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.75ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 125mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.75ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 125mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+53.99 грн
50+33.56 грн
250+20.43 грн
1000+12.04 грн
4000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NTUD3170NZT5G ntud3170nz-d.pdf
NTUD3170NZT5G
Виробник: onsemi
MOSFETs 20V Trench N-Channel
на замовлення 86159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.53 грн
10+45.37 грн
100+26.09 грн
500+20.96 грн
1000+17.30 грн
2500+17.16 грн
5000+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.