NTY100N10
Виробник: на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTY100N10
Description: MOSFET N-CH 100V 123A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 313W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-264, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10110 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NTY100N10
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NTY100N10 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 123A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-264 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10110 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |