NTZD3152PT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 27741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3721+ | 5.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTZD3152PT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTZD3152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 430 mA, 430 mA, 0.9 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 280mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 280mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTZD3152PT1G за ціною від 4.22 грн до 31.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTZD3152PT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs -20V -430mA Dual P-Channel |
на замовлення 110335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTZD3152PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTZD3152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 430 mA, 430 mA, 0.9 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm Verlustleistung, p-Kanal: 280mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 280mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 13182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTZD3152PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTZD3152PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| NTZD3152PT1G | Виробник : ONSEMI |
NTZD3152PT1G Multi channel transistors |
на замовлення 1830 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
NTZD3152PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTZD3152PT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTZD3152PT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
товару немає в наявності |