Продукція > ONSEMI > NTZD3152PT1G
NTZD3152PT1G

NTZD3152PT1G onsemi

ntzd3152p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.28 грн
8000+4.60 грн
12000+4.36 грн
20000+3.83 грн
28000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTZD3152PT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTZD3152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 430 mA, 430 mA, 0.9 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 280mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 280mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTZD3152PT1G за ціною від 4.83 грн до 31.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTZD3152PT1G NTZD3152PT1G Виробник : ON Semiconductor ntzd3152p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1G NTZD3152PT1G Виробник : onsemi ntzd3152p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 39142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.53 грн
22+15.33 грн
100+9.62 грн
500+6.70 грн
1000+5.94 грн
2000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1G NTZD3152PT1G Виробник : onsemi ntzd3152p-d.pdf MOSFETs -20V -430mA Dual P-Channel
на замовлення 110335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+29.90 грн
28+13.37 грн
100+8.70 грн
500+7.44 грн
1000+6.25 грн
2000+5.38 грн
4000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1G NTZD3152PT1G Виробник : ONSEMI 2338001.pdf Description: ONSEMI - NTZD3152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 430 mA, 430 mA, 0.9 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 13182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+29.90 грн
77+11.62 грн
250+10.12 грн
1000+7.99 грн
2000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1G NTZD3152PT1G Виробник : ON Semiconductor ntzd3152p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+30.04 грн
35+20.87 грн
36+20.66 грн
104+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1G NTZD3152PT1G Виробник : ON Semiconductor ntzd3152p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1G Виробник : ONSEMI ntzd3152p-d.pdf NTZD3152PT1G Multi channel transistors
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.41 грн
111+10.58 грн
306+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1G NTZD3152PT1G Виробник : ON Semiconductor ntzd3152p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.