
NTZD3152PT1H onsemi

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 342853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3328+ | 6.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTZD3152PT1H onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 250mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-563.
Інші пропозиції NTZD3152PT1H за ціною від 7.57 грн до 7.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTZD3152PT1H | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 342853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
NTZD3152PT1H | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
NTZD3152PT1H | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
NTZD3152PT1H | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |