
NTZD3154NT1G ON Semiconductor
на замовлення 780000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4000+ | 3.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTZD3154NT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 250mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 250mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTZD3154NT1G за ціною від 4.38 грн до 35.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTZD3154NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTZD3154NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 820000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTZD3154NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 820000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTZD3154NT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 376000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTZD3154NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 157444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTZD3154NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTZD3154NT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 294210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTZD3154NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.54A; 0.25W; SOT563 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.25W Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.9Ω Gate charge: 1.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±7V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.54A |
на замовлення 1708 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTZD3154NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTZD3154NT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 380224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTZD3154NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 156344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTZD3154NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.54A; 0.25W; SOT563 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.25W Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.9Ω Gate charge: 1.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±7V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.54A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1708 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTZD3154NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
NTZD3154NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |