Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTZD3154NT1G
NTZD3154NT1G

NTZD3154NT1G ON Semiconductor

ntzd3154n-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTZD3154NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 250mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 250mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції NTZD3154NT1G за ціною від 5.53 грн до 37.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTZD3154NT1G NTZD3154NT1G ON Semiconductor ntzd3154n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 820000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.59 грн
12000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1G NTZD3154NT1G ON Semiconductor ntzd3154n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 820000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.59 грн
12000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1G NTZD3154NT1G ON Semiconductor ntzd3154n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
556+25.29 грн
1120+12.55 грн
1131+12.43 грн
1193+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 556 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1G NTZD3154NT1G ONSEMI NTZD3154N.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.54A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.54A
On-state resistance: 0.9Ω
Gate charge: 1.5nC
Gate-source voltage: ±7V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1G NTZD3154NT1G ON Semiconductor ntzd3154n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.90 грн
30+25.29 грн
100+12.10 грн
250+11.10 грн
500+10.10 грн
1000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1G NTZD3154NT1G onsemi ntzd3154n-d.pdf MOSFETs 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD
на замовлення 508911 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1G NTZD3154NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013299849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 90421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1G NTZD3154NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013299849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 90471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1G ntzd3154n-d.pdf
NTZD3154NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 820000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+6.59 грн
12000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1G ntzd3154n-d.pdf
NTZD3154NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 820000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+6.59 грн
12000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1G ntzd3154n-d.pdf
NTZD3154NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
556+25.29 грн
1120+12.55 грн
1131+12.43 грн
1193+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 556 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1G NTZD3154N.PDF
NTZD3154NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.54A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.54A
On-state resistance: 0.9Ω
Gate charge: 1.5nC
Gate-source voltage: ±7V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1G ntzd3154n-d.pdf
NTZD3154NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+37.90 грн
30+25.29 грн
100+12.10 грн
250+11.10 грн
500+10.10 грн
1000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1G ntzd3154n-d.pdf
NTZD3154NT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD
на замовлення 508911 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1G ONSM-S-A0013299849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTZD3154NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 90421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1G ONSM-S-A0013299849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTZD3154NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 90471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.