NTZD3155CT1G ON Semiconductor
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 6.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTZD3155CT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 250mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 250mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTZD3155CT1G за ціною від 5.94 грн до 43.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTZD3155CT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 104000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTZD3155CT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 196000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTZD3155CT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTZD3155CT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTZD3155CT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 24338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTZD3155CT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 139650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTZD3155CT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD |
на замовлення 22358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTZD3155CT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 31632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTZD3155CT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 24338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTZD3155CT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| NTZD3155CT1G | Виробник : ONSEMI |
NTZD3155CT1G Multi channel transistors |
на замовлення 2988 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| NTZD3155CT1G | Виробник : On Semiconductor |
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |