Продукція > ONSEMI > NTZD3155CT1G
NTZD3155CT1G

NTZD3155CT1G onsemi

ntzd3155c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.51 грн
8000+6.15 грн
12000+6.13 грн
20000+5.72 грн
28000+5.71 грн
40000+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTZD3155CT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 250mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 250mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTZD3155CT1G за ціною від 5.71 грн до 37.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+7.08 грн
8000+7.01 грн
24000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+7.59 грн
8000+7.51 грн
24000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+10.59 грн
8000+10.13 грн
12000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : ONSEMI 2160832.pdf Description: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.87 грн
250+11.11 грн
1000+7.21 грн
2000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : ONSEMI 2160832.pdf Description: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+21.96 грн
58+14.87 грн
250+11.11 грн
1000+7.21 грн
2000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : onsemi CC0319D38D364B8C0CA5940C4DAA7014900008B13D7082C766D9C07FA022CFB3.pdf MOSFETs 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD
на замовлення 37496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+22.13 грн
27+13.32 грн
100+8.91 грн
500+8.23 грн
1000+8.00 грн
2000+6.63 грн
4000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFF5A698E6CCB1BF&compId=NTZD3155C-DTE.PDF?ci_sign=a99d20c77ef06fca412dd9674351a405572fae70 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 400/500mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5/1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 4033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.93 грн
22+18.57 грн
50+12.06 грн
100+10.00 грн
120+7.86 грн
329+7.38 грн
500+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFF5A698E6CCB1BF&compId=NTZD3155C-DTE.PDF?ci_sign=a99d20c77ef06fca412dd9674351a405572fae70 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 400/500mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5/1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4033 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.72 грн
13+23.14 грн
50+14.48 грн
100+12.00 грн
120+9.43 грн
329+8.86 грн
500+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 135750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+29.36 грн
35+20.22 грн
100+13.24 грн
500+8.79 грн
1000+7.06 грн
2000+6.69 грн
4000+6.03 грн
8000+5.97 грн
24000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : onsemi ntzd3155c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 40346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.09 грн
18+18.01 грн
100+10.51 грн
500+8.68 грн
1000+8.37 грн
2000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G Виробник : On Semiconductor ntzd3155c-d.pdf MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.