Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTZD3155CT1G
NTZD3155CT1G

NTZD3155CT1G ON Semiconductor

ntzd3155c-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTZD3155CT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 250mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 250mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції NTZD3155CT1G за ціною від 6.46 грн до 780.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G onsemi ntzd3155c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.79 грн
8000+10.73 грн
12000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G ONSEMI NTZD3155C-DTE.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 400/500mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5/1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 139650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.31 грн
42+18.97 грн
100+11.85 грн
500+9.68 грн
1000+8.15 грн
2000+6.80 грн
4000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G onsemi ntzd3155c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 6012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.93 грн
13+23.60 грн
50+17.10 грн
100+14.08 грн
500+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G onsemi ntzd3155c-d.pdf MOSFETs 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD
на замовлення 16830 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
8+42.44 грн
17+18.78 грн
100+12.55 грн
500+10.25 грн
1000+9.80 грн
2000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G ONSEMI 2160832.pdf Description: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 17293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G ONSEMI 2160832.pdf Description: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 17293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G On Semiconductor ntzd3155c-d.pdf NTZD3155CT1G MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
1+780.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G ntzd3155c-d.pdf
NTZD3155CT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G ntzd3155c-d.pdf
NTZD3155CT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G ntzd3155c-d.pdf
NTZD3155CT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+10.79 грн
8000+10.73 грн
12000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155C-DTE.PDF
NTZD3155CT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 400/500mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5/1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G ntzd3155c-d.pdf
NTZD3155CT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 139650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+32.31 грн
42+18.97 грн
100+11.85 грн
500+9.68 грн
1000+8.15 грн
2000+6.80 грн
4000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G ntzd3155c-d.pdf
NTZD3155CT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 6012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.93 грн
13+23.60 грн
50+17.10 грн
100+14.08 грн
500+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G ntzd3155c-d.pdf
NTZD3155CT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD
на замовлення 16830 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.44 грн
17+18.78 грн
100+12.55 грн
500+10.25 грн
1000+9.80 грн
2000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G ntzd3155c-d.pdf
NTZD3155CT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G 2160832.pdf
NTZD3155CT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 17293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G 2160832.pdf
NTZD3155CT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 17293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G ntzd3155c-d.pdf
Виробник: On Semiconductor
NTZD3155CT1G MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+780.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.