Продукція > ONSEMI > NTZD3155CT1G
NTZD3155CT1G

NTZD3155CT1G ONSEMI

2160832.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 17293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+20.62 грн
250+13.21 грн
1000+9.42 грн
2000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTZD3155CT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 250mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 250mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції NTZD3155CT1G за ціною від 7.40 грн до 312.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G ONSEMI NTZD3155C-DTE.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of channel: enhancement
Drain current: 0.39/-0.31A
Gate charge: 1.5/1.7nC
On-state resistance: 400/500mΩ
Gate-source voltage: ±6V
на замовлення 528 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.06 грн
22+19.44 грн
50+12.63 грн
100+10.47 грн
250+8.39 грн
500+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G ONSEMI 2160832.pdf Description: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 17293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.56 грн
50+20.62 грн
250+13.21 грн
1000+9.42 грн
2000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G onsemi ntzd3155c-d.pdf MOSFETs 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.46 грн
14+24.13 грн
100+14.15 грн
500+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G On Semiconductor ntzd3155c-d.pdf MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+312.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155C-DTE.PDF
NTZD3155CT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of channel: enhancement
Drain current: 0.39/-0.31A
Gate charge: 1.5/1.7nC
On-state resistance: 400/500mΩ
Gate-source voltage: ±6V
на замовлення 528 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
18+25.06 грн
22+19.44 грн
50+12.63 грн
100+10.47 грн
250+8.39 грн
500+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G 2160832.pdf
NTZD3155CT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 17293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
28+29.56 грн
50+20.62 грн
250+13.21 грн
1000+9.42 грн
2000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G ntzd3155c-d.pdf
NTZD3155CT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+39.46 грн
14+24.13 грн
100+14.15 грн
500+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G ntzd3155c-d.pdf
Виробник: On Semiconductor
MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна
1+312.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.