Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTZD3155CT1G
NTZD3155CT1G

NTZD3155CT1G ON Semiconductor

ntzd3155c-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTZD3155CT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 250mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 250mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NTZD3155CT1G за ціною від 6.47 грн до 40.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+7.56 грн
8000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+7.61 грн
8000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+9.52 грн
8000+9.23 грн
12000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : ONSEMI 2160832.pdf Description: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 44195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.79 грн
250+10.48 грн
1000+7.52 грн
2000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : onsemi NTZD3155C_D-2319137.pdf MOSFETs 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD
на замовлення 97300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.95 грн
18+19.46 грн
100+9.20 грн
1000+7.14 грн
4000+7.06 грн
8000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : ONSEMI NTZD3155C-DTE.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 400/500mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5/1.7nC
на замовлення 4826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+27.40 грн
18+21.30 грн
50+13.79 грн
100+11.50 грн
115+7.89 грн
250+7.82 грн
315+7.43 грн
1000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : ONSEMI 2160832.pdf Description: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 39180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+30.54 грн
50+21.21 грн
250+10.98 грн
1000+8.05 грн
2000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : ONSEMI NTZD3155C-DTE.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 400/500mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5/1.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4826 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.88 грн
11+26.55 грн
50+16.55 грн
100+13.79 грн
115+9.47 грн
250+9.38 грн
315+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : onsemi ntzd3155c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 3595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.59 грн
13+24.14 грн
100+13.02 грн
500+10.42 грн
1000+8.96 грн
2000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G Виробник : Aptina Imaging ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+7.93 грн
8000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G Виробник : Aptina Imaging ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+8.13 грн
8000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G Виробник : On Semiconductor ntzd3155c-d.pdf NTZD3155CT1G MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : onsemi ntzd3155c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.