Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTZD3155CT2G
NTZD3155CT2G

NTZD3155CT2G ON Semiconductor

7735ntzd3155c-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTZD3155CT2G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTZD3155CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 250mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 250mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTZD3155CT2G за ціною від 4.28 грн до 32.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G Виробник : ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.58 грн
8000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G Виробник : ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 480000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5425+5.73 грн
10000+5.11 грн
100000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 5425
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G Виробник : ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 13560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5425+5.73 грн
10000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 5425
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G Виробник : ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.04 грн
8000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013300566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTZD3155CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.67 грн
500+8.17 грн
1000+6.58 грн
5000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G Виробник : onsemi ntzd3155c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.87 грн
21+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G Виробник : ONSEMI ntzd3155c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+27.00 грн
25+16.17 грн
33+12.45 грн
100+8.57 грн
500+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G Виробник : onsemi NTZD3155C-D.PDF MOSFETs COMP 540mA 20V
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.80 грн
21+17.23 грн
100+9.32 грн
500+6.99 грн
1000+6.13 грн
2000+5.51 грн
4000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G Виробник : ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+30.53 грн
38+18.73 грн
100+11.42 грн
250+10.50 грн
500+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013300566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTZD3155CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+30.83 грн
47+18.64 грн
100+11.67 грн
500+8.17 грн
1000+6.58 грн
5000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G Виробник : ONSEMI ntzd3155c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.40 грн
15+20.15 грн
25+14.94 грн
100+10.29 грн
500+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G Виробник : ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G Виробник : ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G Виробник : onsemi ntzd3155c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.