NTZD3155CT2G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTZD3155CT2G onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 250mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active.
Інші пропозиції NTZD3155CT2G за ціною від 4.13 грн до 27.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTZD3155CT2G | onsemi |
MOSFETs COMP 540mA 20V |
на замовлення 55077 шт: термін постачання 385-394 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTZD3155CT2G | ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Power dissipation: 0.25W Case: SOT563F Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20/-20V Kind of channel: enhancement Version: ESD Drain current: 0.39/-0.31A On-state resistance: 0.55/0.9Ω Gate-source voltage: ±6V |
на замовлення 3459 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| NTZD3155CT2G |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs COMP 540mA 20V
MOSFETs COMP 540mA 20V
на замовлення 55077 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.92 грн |
| 20+ | 16.32 грн |
| 100+ | 8.95 грн |
| 500+ | 6.61 грн |
| 1000+ | 6.34 грн |
| 2000+ | 5.72 грн |
| 4000+ | 4.13 грн |
| NTZD3155CT2G |
|
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Drain current: 0.39/-0.31A
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Gate-source voltage: ±6V
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Drain current: 0.39/-0.31A
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Gate-source voltage: ±6V
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 27.68 грн |
| 25+ | 16.58 грн |
| 33+ | 12.77 грн |
| 100+ | 8.79 грн |
| 500+ | 6.80 грн |