Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTZD3155CT2G
NTZD3155CT2G

NTZD3155CT2G ON Semiconductor

ntzd3155c-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+6.33 грн
8000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTZD3155CT2G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTZD3155CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 250mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 250mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTZD3155CT2G за ціною від 4.85 грн до 32.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.40 грн
8000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 480000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5425+6.50 грн
10000+5.80 грн
100000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 5425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 13560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5425+6.50 грн
10000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 5425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G onsemi ntzd3155c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.03 грн
21+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G ONSEMI ntzd3155c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Drain current: 0.39/-0.31A
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Gate-source voltage: ±6V
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.94 грн
25+16.74 грн
33+12.89 грн
100+8.87 грн
500+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.34 грн
38+19.83 грн
100+12.09 грн
250+11.12 грн
500+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G onsemi ntzd3155c-d.pdf MOSFETs COMP 540mA 20V
на замовлення 55077 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G ONSEMI ONSM-S-A0013300566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTZD3155CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G ONSEMI ONSM-S-A0013300566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTZD3155CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G NTZD3155CT2G ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G ntzd3155c-d.pdf
NTZD3155CT2G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+6.40 грн
8000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G ntzd3155c-d.pdf
NTZD3155CT2G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 480000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5425+6.50 грн
10000+5.80 грн
100000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 5425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G ntzd3155c-d.pdf
NTZD3155CT2G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 13560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5425+6.50 грн
10000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 5425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G ntzd3155c-d.pdf
NTZD3155CT2G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.03 грн
21+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G ntzd3155c-d.pdf
NTZD3155CT2G
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Drain current: 0.39/-0.31A
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Gate-source voltage: ±6V
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+27.94 грн
25+16.74 грн
33+12.89 грн
100+8.87 грн
500+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G ntzd3155c-d.pdf
NTZD3155CT2G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+32.34 грн
38+19.83 грн
100+12.09 грн
250+11.12 грн
500+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G ntzd3155c-d.pdf
NTZD3155CT2G
Виробник: onsemi
MOSFETs COMP 540mA 20V
на замовлення 55077 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G ONSM-S-A0013300566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTZD3155CT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTZD3155CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G ONSM-S-A0013300566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTZD3155CT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTZD3155CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G ntzd3155c-d.pdf
NTZD3155CT2G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.