Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTZD5110NT1G
NTZD5110NT1G

NTZD5110NT1G ON Semiconductor

ntzd5110n-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTZD5110NT1G ON Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 250mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 294mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-563.

Інші пропозиції NTZD5110NT1G за ціною від 4.32 грн до 27.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTZD5110NT1G NTZD5110NT1G Виробник : onsemi ntzd5110n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 294mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1G NTZD5110NT1G Виробник : ON Semiconductor ntzd5110n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.76 грн
8000+5.71 грн
12000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1G NTZD5110NT1G Виробник : ON Semiconductor ntzd5110n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.20 грн
8000+6.16 грн
12000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1G NTZD5110NT1G Виробник : ON Semiconductor ntzd5110n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1859+6.94 грн
1878+6.87 грн
2412+5.35 грн
2560+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 1859
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1G NTZD5110NT1G Виробник : ON Semiconductor ntzd5110n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+21.76 грн
55+13.46 грн
56+13.33 грн
100+7.17 грн
250+6.58 грн
500+4.92 грн
1000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1G NTZD5110NT1G Виробник : ONSEMI ntzd5110n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.225A; 0.28W; SOT563F; ESD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT563F
Drain current: 0.225A
Power dissipation: 0.28W
On-state resistance: 1.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+23.50 грн
43+9.99 грн
100+7.39 грн
500+6.13 грн
1000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1G NTZD5110NT1G Виробник : onsemi ntzd5110n-d.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFET 60V 310mA DUAL N-CH
на замовлення 223151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.09 грн
19+17.00 грн
100+9.13 грн
500+6.76 грн
1000+5.44 грн
2000+5.30 грн
4000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1G NTZD5110NT1G Виробник : onsemi ntzd5110n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 294mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 6770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.45 грн
19+16.32 грн
100+10.30 грн
500+7.20 грн
1000+6.40 грн
2000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1G NTZD5110NT1G Виробник : ON Semiconductor ntzd5110n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.