Продукція > ONSEMI > NTZS3151PT1G
NTZS3151PT1G

NTZS3151PT1G onsemi

ntzs3151p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+6.99 грн
8000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTZS3151PT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.15 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 860mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 210mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm.

Інші пропозиції NTZS3151PT1G за ціною від 4.34 грн до 26.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTZS3151PT1G NTZS3151PT1G ONSEMI ONSM-S-A0013299971-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.15 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 860mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 210mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.63 грн
250+10.53 грн
1000+8.21 грн
2000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1G NTZS3151PT1G onsemi ntzs3151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.57 грн
16+19.33 грн
100+11.61 грн
500+10.09 грн
1000+6.86 грн
2000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1G NTZS3151PT1G onsemi ntzs3151p-d.pdf MOSFETs -20V -950mA P-Channel
на замовлення 6151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.92 грн
20+16.40 грн
100+9.02 грн
500+6.68 грн
1000+5.99 грн
2000+5.30 грн
4000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1G NTZS3151PT1G ONSEMI ONSM-S-A0013299971-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.15 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 860mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 210mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+26.92 грн
50+16.63 грн
250+10.53 грн
1000+8.21 грн
2000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1G ONSM-S-A0013299971-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTZS3151PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.15 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 860mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 210mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+16.63 грн
250+10.53 грн
1000+8.21 грн
2000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1G ntzs3151p-d.pdf
NTZS3151PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+25.57 грн
16+19.33 грн
100+11.61 грн
500+10.09 грн
1000+6.86 грн
2000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1G ntzs3151p-d.pdf
NTZS3151PT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs -20V -950mA P-Channel
на замовлення 6151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
12+26.92 грн
20+16.40 грн
100+9.02 грн
500+6.68 грн
1000+5.99 грн
2000+5.30 грн
4000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1G ONSM-S-A0013299971-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTZS3151PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.15 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 860mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 210mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
30+26.92 грн
50+16.63 грн
250+10.53 грн
1000+8.21 грн
2000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.