NTZS3151PT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 7.05 грн |
| 8000+ | 6.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTZS3151PT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.15 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 860mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 210mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm.
Інші пропозиції NTZS3151PT1G за ціною від 6.37 грн до 25.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTZS3151PT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 6470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTZS3151PT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 6470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTZS3151PT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTZS3151PT1G | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-563 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 170mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 17645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NTZS3151PT1G | onsemi |
MOSFETs -20V -950mA P-Channel |
на замовлення 6848 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
 |
NTZS3151PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.15 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 860mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 210mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm |
на замовлення 2904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
NTZS3151PT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.15 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 860mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 210mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm |
на замовлення 2904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| NTZS3151PT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 6470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1283+ | 11.01 грн |
| 1347+ | 10.48 грн |
| 1420+ | 9.94 грн |
| 1500+ | 9.07 грн |
| 1591+ | 7.92 грн |
| 3000+ | 7.14 грн |
| 6000+ | 6.69 грн |
| NTZS3151PT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 6470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 15.02 грн |
| 68+ | 11.12 грн |
| 69+ | 11.01 грн |
| 100+ | 10.11 грн |
| 250+ | 8.88 грн |
| 500+ | 8.06 грн |
| 1000+ | 7.60 грн |
| 3000+ | 7.14 грн |
| 6000+ | 6.69 грн |
| NTZS3151PT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 31+ | 24.40 грн |
| 42+ | 18.13 грн |
| 100+ | 11.24 грн |
| 1000+ | 8.07 грн |
| 4000+ | 7.03 грн |
| NTZS3151PT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 25.81 грн |
| 16+ | 19.51 грн |
| 100+ | 11.72 грн |
| 500+ | 10.18 грн |
| 1000+ | 6.92 грн |
| 2000+ | 6.37 грн |
| NTZS3151PT1G |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs -20V -950mA P-Channel
MOSFETs -20V -950mA P-Channel
на замовлення 6848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NTZS3151PT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.15 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 860mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 210mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
Description: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.15 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 860mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 210mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTZS3151PT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.15 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 860mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 210mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
Description: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.15 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 860mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 210mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)