NTZS3151PT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 6.48 грн |
| 8000+ | 5.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTZS3151PT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.12 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 860mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 210mW, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm.
Інші пропозиції NTZS3151PT1G за ціною від 5.11 грн до 27.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTZS3151PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 6470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTZS3151PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.12 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 860mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 210mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm |
на замовлення 4650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTZS3151PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 6470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTZS3151PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
NTZS3151PT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET -20V -950mA P-Channel |
на замовлення 5474 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTZS3151PT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 170mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V |
на замовлення 17645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTZS3151PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.12 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 860mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 210mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm |
на замовлення 4650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
NTZS3151PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
NTZS3151PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
| NTZS3151PT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.76A; 0.21W; SOT563F Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.76A Power dissipation: 0.21W Case: SOT563F Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
| NTZS3151PT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.76A; 0.21W; SOT563F Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.76A Power dissipation: 0.21W Case: SOT563F Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |