Продукція > ONSEMI > NTZS3151PT1H
NTZS3151PT1H

NTZS3151PT1H onsemi

ntzs3151p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563-6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
на замовлення 151765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3328+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 3328
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTZS3151PT1H onsemi

Description: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 170mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-563, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V.

Інші пропозиції NTZS3151PT1H за ціною від 10.04 грн до 10.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTZS3151PT1H NTZS3151PT1H Виробник : ON Semiconductor NTZS3151P-D-260443.pdf MOSFET PFET SOT563 20V 950MA TR
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1H Виробник : ONSEMI ONSMS25795-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NTZS3151PT1H - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 151765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4006+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 4006
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1H ntzs3151p-d.pdf
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1H NTZS3151PT1H Виробник : onsemi ntzs3151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.