NTZS3151PT1H onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563-6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTZS3151PT1H onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 170mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Supplier Device Package: SOT-563.
Інші пропозиції NTZS3151PT1H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NTZS3151PT1H | ON Semiconductor |
MOSFET PFET SOT563 20V 950MA TR |
на замовлення 455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTZS3151PT1H |
|
на замовлення 870 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTZS3151PT1H |
|
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET PFET SOT563 20V 950MA TR
MOSFET PFET SOT563 20V 950MA TR
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)