
NUP1105LT1G ON Semiconductor
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 6.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NUP1105LT1G ON Semiconductor
Description: TVS DIODE 24VWM 44VC SOT233, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Applications: CAN, Capacitance @ Frequency: 60pF @ 1MHz, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A (8/20µs), Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Min), Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 25.7V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 44V, Power - Peak Pulse: 350W, Power Line Protection: No.
Інші пропозиції NUP1105LT1G за ціною від 4.97 грн до 29.28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NUP1105LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NUP1105LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: CAN Capacitance @ Frequency: 60pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Min) Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 25.7V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 44V Power - Peak Pulse: 350W Power Line Protection: No |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NUP1105LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NUP1105LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 40V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 24V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: NUP11 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NUP1105LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NUP1105LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NUP1105LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: CAN Capacitance @ Frequency: 60pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Min) Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 25.7V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 44V Power - Peak Pulse: 350W Power Line Protection: No |
на замовлення 13515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NUP1105LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350W euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 40V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 24V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: NUP11 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NUP1105LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 12188 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NUP1105LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
NUP1105LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
NUP1105LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
NUP1105LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: TVS array; 25.7÷28.4V; 8A; 350W; double,common cathode Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 25.7...28.4V Max. forward impulse current: 8A Peak pulse power dissipation: 0.35kW Semiconductor structure: common cathode; double Mounting: SMD Case: SOT23 Max. off-state voltage: 24V Kind of package: reel; tape Application: CAN Version: ESD Leakage current: 0.1µA кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
NUP1105LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: TVS array; 25.7÷28.4V; 8A; 350W; double,common cathode Type of diode: TVS array Breakdown voltage: 25.7...28.4V Max. forward impulse current: 8A Peak pulse power dissipation: 0.35kW Semiconductor structure: common cathode; double Mounting: SMD Case: SOT23 Max. off-state voltage: 24V Kind of package: reel; tape Application: CAN Version: ESD Leakage current: 0.1µA |
товару немає в наявності |