NV6012C-RA NAVITAS
Виробник: NAVITAS
Description: NAVITAS - NV6012C-RA - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 2.7 A, 0.43 ohm, 0.85 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 0.85nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: GaNFast NV6012C Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NV6012C-RA NAVITAS
Description: NAVITAS - NV6012C-RA - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 2.7 A, 0.43 ohm, 0.85 nC, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 0.85nC, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: GaNFast NV6012C Series, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NV6012C-RA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NV6012C-RA | Navitas Semiconductor | GaN FETs GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56 |
на замовлення 689 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NV6012C-RA |
Виробник: Navitas Semiconductor
GaN FETs GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56
GaN FETs GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)