Продукція > NAVITAS SEMICONDUCTOR > NV6012C-RA
NV6012C-RA

NV6012C-RA Navitas Semiconductor

index.pdf
Виробник: Navitas Semiconductor
GaN FETs GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56
на замовлення 816 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+218.05 грн
10+106.20 грн
100+83.56 грн
500+67.43 грн
1000+61.93 грн
2000+55.34 грн
10000+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NV6012C-RA Navitas Semiconductor

Description: NAVITAS - NV6012C-RA - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 2.7 A, 0.43 ohm, 0.85 nC, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 0.85nC, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: GaNFast NV6012C Series, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NV6012C-RA

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NV6012C-RA NV6012C-RA NAVITAS NV6012C_Datasheet.pdf Description: NAVITAS - NV6012C-RA - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 2.7 A, 0.43 ohm, 0.85 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 0.85nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: GaNFast NV6012C Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NV6012C-RA NV6012C_Datasheet.pdf
NV6012C-RA
Виробник: NAVITAS
Description: NAVITAS - NV6012C-RA - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 2.7 A, 0.43 ohm, 0.85 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 0.85nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: GaNFast NV6012C Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.