NV6012C-RA Navitas Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 131.16 грн |
| 10+ | 86.73 грн |
| 100+ | 63.68 грн |
| 500+ | 61.24 грн |
| 1000+ | 58.79 грн |
| 2000+ | 56.42 грн |
| 5000+ | 55.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NV6012C-RA Navitas Semiconductor
Description: NAVITAS - NV6012C-RA - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 2.7 A, 0.43 ohm, 0.85 nC, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 0.85nC, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: GaNFast NV6012C Series, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NV6012C-RA за ціною від 73.32 грн до 215.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NV6012C-RA | NAVITAS |
 Description: NAVITAS - NV6012C-RA - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 2.7 A, 0.43 ohm, 0.85 nC, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 0.85nC Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: GaNFast NV6012C Series productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| NV6012C-RA |
|
Виробник: NAVITAS
Description: NAVITAS - NV6012C-RA - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 2.7 A, 0.43 ohm, 0.85 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 0.85nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: GaNFast NV6012C Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NAVITAS - NV6012C-RA - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 2.7 A, 0.43 ohm, 0.85 nC, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 0.85nC
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: GaNFast NV6012C Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 215.88 грн |
| 10+ | 139.31 грн |
| 100+ | 101.83 грн |
| 500+ | 80.19 грн |
| 1000+ | 73.32 грн |