NVB082N65S3F ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NVB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.064 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 315.63 грн |
| 250+ | 309.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVB082N65S3F ONSEMI
Description: ONSEMI - NVB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.064 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NVB082N65S3F за ціною від 309.10 грн до 480.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVB082N65S3F | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVB082N65S3F | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVB082N65S3F | Виробник : onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 650V D2PAK PKG |
на замовлення 1996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVB082N65S3F | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.064 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NVB082N65S3F | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
NVB082N65S3F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
NVB082N65S3F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NVB082N65S3F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| NVB082N65S3F | Виробник : ONSEMI |
NVB082N65S3F SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |