Продукція > ONSEMI > NVB099N65S3

NVB099N65S3 onsemi


nvb099n65s3-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+146.93 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVB099N65S3 onsemi

Description: SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA, Power Dissipation (Max): 227W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NVB099N65S3 за ціною від 136.69 грн до 344.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NVB099N65S3 NVB099N65S3 onsemi nvb099n65s3-d.pdf Description: SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.61 грн
10+228.25 грн
100+176.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB099N65S3 NVB099N65S3 onsemi NVB099N65S3-D.PDF MOSFETs SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+344.71 грн
10+238.17 грн
100+162.92 грн
500+147.04 грн
800+136.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB099N65S3 nvb099n65s3-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+338.61 грн
10+228.25 грн
100+176.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB099N65S3 NVB099N65S3-D.PDF
Виробник: onsemi
MOSFETs SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+344.71 грн
10+238.17 грн
100+162.92 грн
500+147.04 грн
800+136.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.