Продукція > ONSEMI > NVB099N65S3
NVB099N65S3

NVB099N65S3 onsemi

nvb099n65s3-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+156.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVB099N65S3 onsemi

Description: SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 227W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVB099N65S3 за ціною від 151.21 грн до 381.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVB099N65S3 NVB099N65S3 Виробник : onsemi nvb099n65s3-d.pdf Description: SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+360.18 грн
10+242.78 грн
100+188.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB099N65S3 NVB099N65S3 Виробник : onsemi NVB099N65S3-D.PDF MOSFETs SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+381.33 грн
10+263.47 грн
100+180.23 грн
500+162.66 грн
800+151.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB099N65S3 Виробник : ON Semiconductor nvb099n65s3-d.pdf Single N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 30 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB099N65S3 Виробник : ON Semiconductor nvb099n65s3-d.pdf Single N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 30 A Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB099N65S3 Виробник : ONSEMI nvb099n65s3-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 227W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 227W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Pulsed drain current: 75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.