Продукція > ONSEMI > NVB099N65S3
NVB099N65S3

NVB099N65S3 onsemi

nvb099n65s3-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+161.11 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVB099N65S3 onsemi

Description: SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 227W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVB099N65S3 за ціною від 155.88 грн до 393.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVB099N65S3 NVB099N65S3 Виробник : onsemi nvb099n65s3-d.pdf Description: SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+371.30 грн
10+250.28 грн
100+194.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB099N65S3 NVB099N65S3 Виробник : onsemi NVB099N65S3-D.PDF MOSFETs SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+393.10 грн
10+271.60 грн
100+185.79 грн
500+167.69 грн
800+155.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB099N65S3 Виробник : ON Semiconductor nvb099n65s3-d.pdf Single N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 30 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB099N65S3 Виробник : ON Semiconductor nvb099n65s3-d.pdf Single N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 30 A Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.