Продукція > ONSEMI > NVB190N65S3F
NVB190N65S3F

NVB190N65S3F onsemi

nvb190n65s3f-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+123.40 грн
1600+116.17 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVB190N65S3F onsemi

Description: ONSEMI - NVB190N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85415000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 162W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 162W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.158ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NVB190N65S3F за ціною від 161.23 грн до 354.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVB190N65S3F NVB190N65S3F onsemi nvb190n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.85 грн
10+226.52 грн
100+161.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB190N65S3F NVB190N65S3F onsemi nvb190n65s3f-d.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET,190M
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVB190N65S3F NVB190N65S3F ONSEMI nvb190n65s3f-d.pdf Description: ONSEMI - NVB190N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVB190N65S3F NVB190N65S3F ONSEMI nvb190n65s3f-d.pdf Description: ONSEMI - NVB190N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 162W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.158ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB190N65S3F ON Semiconductor nvb190n65s3f-d.pdf
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVB190N65S3F nvb190n65s3f-d.pdf
NVB190N65S3F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+354.85 грн
10+226.52 грн
100+161.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVB190N65S3F nvb190n65s3f-d.pdf
NVB190N65S3F
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET,190M
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVB190N65S3F nvb190n65s3f-d.pdf
NVB190N65S3F
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVB190N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVB190N65S3F nvb190n65s3f-d.pdf
NVB190N65S3F
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVB190N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 162W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.158ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVB190N65S3F nvb190n65s3f-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.