NVB190N65S3F onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 122.12 грн |
| 1600+ | 114.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVB190N65S3F onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 162W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVB190N65S3F за ціною від 122.90 грн до 368.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NVB190N65S3F | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 162W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 61872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NVB190N65S3F | onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET,190M |
на замовлення 1520 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NVB190N65S3F | ON Semiconductor |
|
на замовлення 590 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVB190N65S3F |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 61872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 351.15 грн |
| 10+ | 224.22 грн |
| 100+ | 159.55 грн |
| NVB190N65S3F |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET,190M
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET,190M
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 368.22 грн |
| 10+ | 240.91 грн |
| 100+ | 149.43 грн |
| 500+ | 131.97 грн |
| 800+ | 128.48 грн |
| 2400+ | 122.90 грн |
| NVB190N65S3F |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


