NVB190N65S3F ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NVB190N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 162W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.158ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 149.06 грн |
| 500+ | 127.28 грн |
| 1000+ | 116.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVB190N65S3F ONSEMI
Description: ONSEMI - NVB190N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85415000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 162W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 162W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.158ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NVB190N65S3F за ціною від 116.75 грн до 327.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVB190N65S3F | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 162W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NVB190N65S3F | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVB190N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85415000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 162W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NVB190N65S3F | Виробник : onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET,190M |
на замовлення 3620 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NVB190N65S3F | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 590 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
NVB190N65S3F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
NVB190N65S3F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NVB190N65S3F | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NVB190N65S3F | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 162W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| NVB190N65S3F | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 60A; 162W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 162W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |