Продукція > ONSEMI > NVB60N06T4G
NVB60N06T4G

NVB60N06T4G onsemi

NTB60N06-D.PDF Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
185+115.44 грн
Мінімальне замовлення: 185
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVB60N06T4G onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Obsolete, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVB60N06T4G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVB60N06T4G NVB60N06T4G Виробник : onsemi NTB60N06-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVB60N06T4G NVB60N06T4G Виробник : onsemi NTB60N06_D-2318475.pdf MOSFET NFET 60V .016R TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.