NVB6412ANT4G ON Semiconductor
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 94.62 грн |
| 10+ | 91.4 грн |
| 25+ | 86.27 грн |
| 50+ | 81.25 грн |
| 100+ | 72.87 грн |
| 500+ | 67.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVB6412ANT4G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2mOhm @ 58A, 10V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D²PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NVB6412ANT4G за ціною від 73.19 грн до 101.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NVB6412ANT4G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NVB6412ANT4G | Виробник : ON Semiconductor |
MOSFET NFET D2PAK 100V 59A 20MO |
на замовлення 1016 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
NVB6412ANT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
NVB6412ANT4G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V |
товар відсутній |