NVBG015N065SC1 onsemi
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVBG015N065SC1 onsemi
Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: D2PAK-7, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NVBG015N065SC1 за ціною від 1621.61 грн до 2505.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NVBG015N065SC1 | onsemi |
Description: SIC MOS D2PAK-7L 650VQualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): +22V, -8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Grade: Automotive Supplier Device Package: D2PAK-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 219673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
NVBG015N065SC1 | onsemi |
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V |
на замовлення 495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| NVBG015N065SC1 | ONN |
|
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVBG015N065SC1 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 219673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2410.67 грн |
| 10+ | 1875.96 грн |
| NVBG015N065SC1 |
![]() |
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2505.59 грн |
| 10+ | 1997.43 грн |
| 100+ | 1731.38 грн |
| 500+ | 1672.70 грн |
| 800+ | 1621.61 грн |
| NVBG015N065SC1 |
![]() |
Виробник: ONN
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


