Продукція > ONSEMI > NVBG015N065SC1
NVBG015N065SC1

NVBG015N065SC1 onsemi

nvbg015n065sc1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 228800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+1794.51 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVBG015N065SC1 onsemi

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVBG015N065SC1 за ціною від 1728.05 грн до 2718.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVBG015N065SC1 NVBG015N065SC1 Виробник : onsemi NVBG015N065SC1_D-2319397.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2712.05 грн
10+2043.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG015N065SC1 NVBG015N065SC1 Виробник : onsemi nvbg015n065sc1-d.pdf Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 229338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2718.19 грн
10+1941.57 грн
100+1728.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG015N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg015n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A Automotive T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG015N065SC1 NVBG015N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg015n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG015N065SC1 NVBG015N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg015n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG015N065SC1 Виробник : ONSEMI nvbg015n065sc1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 103A; Idm: 442A; 250W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 103A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 283nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...18V
Pulsed drain current: 442A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG015N065SC1 Виробник : ONSEMI nvbg015n065sc1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 103A; Idm: 442A; 250W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 103A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 283nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...18V
Pulsed drain current: 442A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.