NVBG020N090SC1 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NVBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 477W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 1880.20 грн |
| 50+ | 1743.65 грн |
| 100+ | 1606.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVBG020N090SC1 ONSEMI
Description: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVBG020N090SC1 за ціною від 1573.52 грн до 5224.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVBG020N090SC1 | Виробник : onsemi |
Description: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NVBG020N090SC1 | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs 20MOHM 900V |
на замовлення 348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NVBG020N090SC1 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 112A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 477W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NVBG020N090SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NVBG020N090SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
|
|
NVBG020N090SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NVBG020N090SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NVBG020N090SC1 | Виробник : onsemi |
Description: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| NVBG020N090SC1 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 9.8A; Idm: 448A; 3.7W Kind of package: reel; tape Technology: SiC Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 200nC On-state resistance: 27mΩ Power dissipation: 3.7W Drain current: 9.8A Pulsed drain current: 448A Drain-source voltage: 900V Case: D2PAK-7 Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |