Продукція > ONSEMI > NVBG020N090SC1
NVBG020N090SC1

NVBG020N090SC1 onsemi

nvbg020n090sc1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2300.22 грн
10+1778.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVBG020N090SC1 onsemi

Description: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVBG020N090SC1 за ціною від 2718.91 грн до 2862.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVBG020N090SC1 NVBG020N090SC1 ON Semiconductor nvbg020n090sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+2862.38 грн
100+2718.91 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N090SC1 NVBG020N090SC1 ON Semiconductor nvbg020n090sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+2862.38 грн
100+2718.91 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N090SC1 NVBG020N090SC1 ONSEMI NVBG020N090SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NVBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 477W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N090SC1 NVBG020N090SC1 onsemi nvbg020n090sc1-d.pdf SiC MOSFETs 20MOHM 900V
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N090SC1 NVBG020N090SC1 ONSEMI NVBG020N090SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NVBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 477W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N090SC1 ON Semiconductor nvbg020n090sc1-d.pdf
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N090SC1 nvbg020n090sc1-d.pdf
NVBG020N090SC1
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+2862.38 грн
100+2718.91 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N090SC1 nvbg020n090sc1-d.pdf
NVBG020N090SC1
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+2862.38 грн
100+2718.91 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N090SC1 NVBG020N090SC1-D.PDF
NVBG020N090SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 477W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N090SC1 nvbg020n090sc1-d.pdf
NVBG020N090SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs 20MOHM 900V
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N090SC1 NVBG020N090SC1-D.PDF
NVBG020N090SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 477W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N090SC1 nvbg020n090sc1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.