Продукція > ONSEMI > NVBG020N120SC1
NVBG020N120SC1

NVBG020N120SC1 onsemi

nvbg020n120sc1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+2371.93 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVBG020N120SC1 onsemi

Description: ONSEMI - NVBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 98A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 468W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 468W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm.

Інші пропозиції NVBG020N120SC1 за ціною від 2416.14 грн до 3695.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NVBG020N120SC1 NVBG020N120SC1 ONSEMI NVBG020N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NVBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 468W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 468W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2714.40 грн
50+2470.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N120SC1 NVBG020N120SC1 onsemi nvbg020n120sc1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Vgs (Max): +25V, -15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3343.78 грн
10+2795.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N120SC1 NVBG020N120SC1 ONSEMI NVBG020N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NVBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 468W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3475.03 грн
5+3127.19 грн
10+2714.40 грн
50+2470.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N120SC1 NVBG020N120SC1 onsemi nvbg020n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3695.40 грн
10+2955.26 грн
100+2416.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N120SC1 ON Semiconductor nvbg020n120sc1-d.pdf
на замовлення 671 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N120SC1 NVBG020N120SC1-D.PDF
NVBG020N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 468W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 468W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+2714.40 грн
50+2470.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N120SC1 nvbg020n120sc1-d.pdf
NVBG020N120SC1
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Vgs (Max): +25V, -15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3343.78 грн
10+2795.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N120SC1 NVBG020N120SC1-D.PDF
NVBG020N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 468W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3475.03 грн
5+3127.19 грн
10+2714.40 грн
50+2470.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N120SC1 nvbg020n120sc1-d.pdf
NVBG020N120SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3695.40 грн
10+2955.26 грн
100+2416.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N120SC1 nvbg020n120sc1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 671 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.