Продукція > ONSEMI > NVBG022N120M3S
NVBG022N120M3S

NVBG022N120M3S onsemi

nvbg022n120m3s-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+1121.56 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVBG022N120M3S onsemi

Description: ONSEMI - NVBG022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 234W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 234W, Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NVBG022N120M3S за ціною від 1321.92 грн до 4080.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVBG022N120M3S NVBG022N120M3S onsemi nvbg022n120m3s-d.pdf Description: SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1829.26 грн
10+1321.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3S NVBG022N120M3S ON Semiconductor nvbg022n120m3s-d.pdf Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+3173.16 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3S NVBG022N120M3S ON Semiconductor nvbg022n120m3s-d.pdf Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+3453.59 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3S NVBG022N120M3S ON Semiconductor nvbg022n120m3s-d.pdf Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4080.25 грн
10+3816.83 грн
25+3738.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3S NVBG022N120M3S ON Semiconductor nvbg022n120m3s-d.pdf Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4080.25 грн
10+3816.83 грн
25+3738.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3S NVBG022N120M3S onsemi nvbg022n120m3s-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3S NVBG022N120M3S ONSEMI NVBG022N120M3S-D.PDF Description: ONSEMI - NVBG022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3S NVBG022N120M3S ONSEMI NVBG022N120M3S-D.PDF Description: ONSEMI - NVBG022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 234W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3S ONN nvbg022n120m3s-d.pdf
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3S nvbg022n120m3s-d.pdf
NVBG022N120M3S
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1829.26 грн
10+1321.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3S nvbg022n120m3s-d.pdf
NVBG022N120M3S
Виробник: ON Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+3173.16 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3S nvbg022n120m3s-d.pdf
NVBG022N120M3S
Виробник: ON Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+3453.59 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3S nvbg022n120m3s-d.pdf
NVBG022N120M3S
Виробник: ON Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4080.25 грн
10+3816.83 грн
25+3738.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3S nvbg022n120m3s-d.pdf
NVBG022N120M3S
Виробник: ON Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+4080.25 грн
10+3816.83 грн
25+3738.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3S nvbg022n120m3s-d.pdf
NVBG022N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3S NVBG022N120M3S-D.PDF
NVBG022N120M3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3S NVBG022N120M3S-D.PDF
NVBG022N120M3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 234W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG022N120M3S nvbg022n120m3s-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.