NVBG022N120M3S onsemi
Виробник: onsemiDescription: SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 1300.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVBG022N120M3S onsemi
Description: ONSEMI - NVBG022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 234W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 234W, Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NVBG022N120M3S за ціною від 1238.31 грн до 3536.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVBG022N120M3S | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVBG022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 234W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NVBG022N120M3S | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V |
на замовлення 554 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NVBG022N120M3S | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVBG022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-263HV (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NVBG022N120M3S | Виробник : onsemi |
Description: SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V Power Dissipation (Max): 234W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 13040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NVBG022N120M3S | Виробник : ON Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NVBG022N120M3S | Виробник : ON Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NVBG022N120M3S | Виробник : ON Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NVBG022N120M3S | Виробник : ON Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NVBG022N120M3S | Виробник : ON Semiconductor |
SiC MOSFET 1200 V 22 mohm |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
NVBG022N120M3S | Виробник : ON Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| NVBG022N120M3S | Виробник : ONSEMI |
NVBG022N120M3S SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |