Продукція > ONSEMI > NVBG030N120M3S-IE
NVBG030N120M3S-IE

NVBG030N120M3S-IE onsemi

nvbg030n120m3s-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM M3S 1200
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+1121.80 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVBG030N120M3S-IE onsemi

Description: SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM M3S 1200, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: D2PAK-7, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA, Power Dissipation (Max): 348W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NVBG030N120M3S-IE за ціною від 1051.72 грн до 1723.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NVBG030N120M3S-IE NVBG030N120M3S-IE onsemi nvbg030n120m3s-d.pdf Description: SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM M3S 1200
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1723.03 грн
10+1333.79 грн
25+1252.58 грн
100+1091.66 грн
250+1051.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG030N120M3S-IE nvbg030n120m3s-d.pdf
NVBG030N120M3S-IE
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM M3S 1200
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1723.03 грн
10+1333.79 грн
25+1252.58 грн
100+1091.66 грн
250+1051.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.