Продукція > ONSEMI > NVBG030N120M3S
NVBG030N120M3S

NVBG030N120M3S onsemi

NVBG030N120M3S-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+1039.21 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVBG030N120M3S onsemi

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V, Power Dissipation (Max): 348W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVBG030N120M3S за ціною від 1224.88 грн до 3406.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVBG030N120M3S NVBG030N120M3S onsemi NVBG030N120M3S-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1848.03 грн
10+1292.10 грн
100+1224.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG030N120M3S NVBG030N120M3S ON Semiconductor nvbg030n120m3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+3406.00 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG030N120M3S NVBG030N120M3S onsemi NVBG030N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM 1200V M3
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG030N120M3S NVBG030N120M3S ONSEMI 3982076.pdf Description: ONSEMI - NVBG030N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG030N120M3S NVBG030N120M3S ONSEMI 3982076.pdf Description: ONSEMI - NVBG030N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG030N120M3S NVBG030N120M3S-D.PDF
NVBG030N120M3S
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1848.03 грн
10+1292.10 грн
100+1224.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG030N120M3S nvbg030n120m3s-d.pdf
NVBG030N120M3S
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+3406.00 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG030N120M3S NVBG030N120M3S-D.PDF
NVBG030N120M3S
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM 1200V M3
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG030N120M3S 3982076.pdf
NVBG030N120M3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG030N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG030N120M3S 3982076.pdf
NVBG030N120M3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG030N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 1.2 kV, 0.029 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.