NVBG030N120M3S onsemi
Виробник: onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 1210.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVBG030N120M3S onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V, Power Dissipation (Max): 348W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVBG030N120M3S за ціною від 1137.87 грн до 3200.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NVBG030N120M3S | Виробник : onsemi |
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V Power Dissipation (Max): 348W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 20728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NVBG030N120M3S | Виробник : onsemi |
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM 1200V M3 |
на замовлення 761 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NVBG030N120M3S | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NVBG030N120M3S | Виробник : ON Semiconductor |
SiC MOS D2PAK-7L 30mohm 1200V M3 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
NVBG030N120M3S | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NVBG030N120M3S | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| NVBG030N120M3S | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 54A; Idm: 207A; 174W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 54A Pulsed drain current: 207A Power dissipation: 174W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -3...18V On-state resistance: 58mΩ Mounting: SMD Gate charge: 107nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |