Продукція > ONSEMI > NVBG040N120M3S
NVBG040N120M3S

NVBG040N120M3S ONSEMI

ONSM-S-A0017755952-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 49 A, 1.2 kV, 0.0405 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.22V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 297W
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0405ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1122.16 грн
50+1021.37 грн
100+923.02 грн
250+903.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVBG040N120M3S ONSEMI

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V, Power Dissipation (Max): 263W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVBG040N120M3S за ціною від 831.95 грн до 2273.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0017755952-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 49 A, 1.2 kV, 0.0405 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.22V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 297W
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0405ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1148.65 грн
5+1135.83 грн
10+1122.16 грн
50+1021.37 грн
100+923.02 грн
250+903.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S Виробник : onsemi NVBG040N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1376.81 грн
10+1151.25 грн
100+934.80 грн
500+832.71 грн
800+831.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S Виробник : onsemi NVBG040N120M3S-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1388.66 грн
10+970.34 грн
100+929.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S Виробник : ON Semiconductor nvbg040n120m3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+2122.21 грн
10+1950.16 грн
25+1850.55 грн
50+1732.87 грн
100+1553.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S Виробник : ON Semiconductor nvbg040n120m3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+2205.48 грн
10+2061.81 грн
20+1857.81 грн
50+1741.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S Виробник : ON Semiconductor nvbg040n120m3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2273.80 грн
10+2089.46 грн
25+1982.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S Виробник : ON Semiconductor nvbg040n120m3s-d.pdf SiC MOS D2PAK-7L 40mohm 1200V M3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S Виробник : ON Semiconductor nvbg040n120m3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S Виробник : ON Semiconductor nvbg040n120m3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S NVBG040N120M3S Виробник : onsemi NVBG040N120M3S-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120M3S Виробник : ONSEMI NVBG040N120M3S-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 40A; Idm: 149A; 131W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 149A
Power dissipation: 131W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -3...18V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.