Продукція > ONSEMI > NVBG040N120SC1
NVBG040N120SC1

NVBG040N120SC1 onsemi

nvbg040n120sc1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+1183.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVBG040N120SC1 onsemi

Description: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V, Power Dissipation (Max): 357W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVBG040N120SC1 за ціною від 1160.58 грн до 3313.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg040n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+1292.39 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 Виробник : onsemi nvbg040n120sc1-d.pdf Description: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1796.63 грн
10+1395.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 Виробник : onsemi nvbg040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1862.87 грн
10+1542.07 грн
100+1279.05 грн
500+1160.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg040n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+2939.37 грн
10+2865.18 грн
25+2666.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg040n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3149.33 грн
10+3069.83 грн
25+2856.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg040n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+3313.14 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg040n120sc1-d.pdf
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1
Код товару: 179416
Додати до обраних Обраний товар

nvbg040n120sc1-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg040n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 Виробник : ONSEMI nvbg040n120sc1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 240A; 178W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 178W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 Виробник : ONSEMI nvbg040n120sc1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 240A; 178W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 178W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.