Продукція > ONSEMI > NVBG040N120SC1
NVBG040N120SC1

NVBG040N120SC1 onsemi

nvbg040n120sc1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+1192.94 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVBG040N120SC1 onsemi

Description: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V, Power Dissipation (Max): 357W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVBG040N120SC1 за ціною від 1105.46 грн до 3345.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg040n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+1304.81 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 Виробник : onsemi NVBG040N120SC1-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1677.24 грн
10+1434.24 грн
100+1225.07 грн
500+1224.31 грн
800+1105.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 Виробник : onsemi nvbg040n120sc1-d.pdf Description: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1705.94 грн
10+1406.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg040n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+2967.64 грн
10+2892.72 грн
25+2691.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg040n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3179.61 грн
10+3099.35 грн
25+2884.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg040n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+3345.00 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg040n120sc1-d.pdf
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1
Код товару: 179416
Додати до обраних Обраний товар

nvbg040n120sc1-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg040n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG040N120SC1 Виробник : ONSEMI nvbg040n120sc1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 43A; Idm: 240A; 178W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 178W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.