Продукція > ONSEMI > NVBG045N065SC1
NVBG045N065SC1

NVBG045N065SC1 onsemi

nvbg045n065sc1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1263.60 грн
10+1071.93 грн
100+927.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVBG045N065SC1 onsemi

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V, Power Dissipation (Max): 242W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVBG045N065SC1 за ціною від 669.33 грн до 1941.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVBG045N065SC1 NVBG045N065SC1 Виробник : onsemi nvbg045n065sc1-d.pdf SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 31 mohm, 650V, M2, D2PAK-7L
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1367.22 грн
10+959.78 грн
100+787.81 грн
500+669.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG045N065SC1 NVBG045N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg045n065sc1-d.pdf Silicon Carbide MOSFET,31mohm,650V Automotive AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+1941.95 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG045N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg045n065sc1-d.pdf NVBG045N065SC1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG045N065SC1 NVBG045N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg045n065sc1-d.pdf Silicon Carbide MOSFET,31mohm,650V Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG045N065SC1 Виробник : ONSEMI nvbg045n065sc1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 44A; Idm: 184A; 121W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 44A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 121W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG045N065SC1 NVBG045N065SC1 Виробник : onsemi nvbg045n065sc1-d.pdf Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG045N065SC1 Виробник : ONSEMI nvbg045n065sc1-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 44A; Idm: 184A; 121W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 44A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 121W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.