Продукція > ONSEMI > NVBG060N090SC1
NVBG060N090SC1

NVBG060N090SC1 onsemi

NVBG060N090SC1-D.PDF Виробник: onsemi
Description: SIC MOS N-CH 900V 5.8A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 308000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+696.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVBG060N090SC1 onsemi

Description: SIC MOS N-CH 900V 5.8A D2PAK-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVBG060N090SC1 за ціною від 741.31 грн до 1367.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVBG060N090SC1 NVBG060N090SC1 Виробник : onsemi NVBG060N090SC1-D.PDF Description: SIC MOS N-CH 900V 5.8A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 308477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1268.99 грн
10+869.94 грн
100+821.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG060N090SC1 NVBG060N090SC1 Виробник : onsemi NVBG060N090SC1-D.PDF SiC MOSFETs 60MOHM
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1367.75 грн
10+987.93 грн
25+858.32 грн
100+741.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG060N090SC1 Виробник : ON Semiconductor NVBG060N090SC1-D.PDF
на замовлення 594 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG060N090SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg060n090sc1-d.pdf N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG060N090SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg060n090sc1-d.pdf Silicon Carbide MOSFET,60mohm,900V Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.