NVBG060N090SC1 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 5.8/44A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V
Description: MOSFET N-CH 900V 5.8/44A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 1307.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVBG060N090SC1 onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 5.8/44A D2PAK-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V.
Інші пропозиції NVBG060N090SC1 за ціною від 1190.03 грн до 2088.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NVBG060N090SC1 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 900V 5.8/44A D2PAK-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V |
на замовлення 1460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVBG060N090SC1 | Виробник : onsemi |
 MOSFET 60MOHM |
на замовлення 1003 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NVBG060N090SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 594 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| NVBG060N090SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
N-Channel MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| NVBG060N090SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET,60mohm,900V Automotive AEC-Q101 |
товар відсутній |