NVBG070N120M3S onsemi
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVBG070N120M3S onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: D2PAK-7, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA, Power Dissipation (Max): 172W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NVBG070N120M3S за ціною від 618.55 грн до 1080.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NVBG070N120M3S | onsemi |
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +22V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Grade: Automotive Supplier Device Package: D2PAK-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA Power Dissipation (Max): 172W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 74918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NVBG070N120M3S | onsemi |
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3 |
на замовлення 1569 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| NVBG070N120M3S | ONN |
|
на замовлення 736 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVBG070N120M3S |
|
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 74918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1032.15 грн |
| 10+ | 701.20 грн |
| 100+ | 638.07 грн |
| NVBG070N120M3S |
|
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1080.84 грн |
| 10+ | 824.06 грн |
| 100+ | 620.62 грн |
| 500+ | 619.93 грн |
| 800+ | 618.55 грн |
| NVBG070N120M3S |
|
Виробник: ONN
на замовлення 736 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)