Продукція > ONSEMI > NVBG070N120M3S
NVBG070N120M3S

NVBG070N120M3S onsemi

NVBG070N120M3S-D.PDF Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 74400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+573.26 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVBG070N120M3S onsemi

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V, Power Dissipation (Max): 172W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVBG070N120M3S за ціною від 675.69 грн до 2191.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVBG070N120M3S NVBG070N120M3S Виробник : onsemi NVBG070N120M3S-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 74918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1092.99 грн
10+742.54 грн
100+675.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG070N120M3S NVBG070N120M3S Виробник : onsemi NVBG070N120M3S-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1190.34 грн
10+907.54 грн
100+683.49 грн
500+682.73 грн
800+681.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG070N120M3S NVBG070N120M3S Виробник : ON Semiconductor nvbg070n120m3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+1879.42 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG070N120M3S NVBG070N120M3S Виробник : ON Semiconductor nvbg070n120m3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+2191.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG070N120M3S Виробник : ON Semiconductor nvbg070n120m3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+1153.97 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG070N120M3S NVBG070N120M3S Виробник : ON Semiconductor nvbg070n120m3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG070N120M3S NVBG070N120M3S Виробник : ON Semiconductor nvbg070n120m3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG070N120M3S Виробник : ONSEMI NVBG070N120M3S-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 93A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 93A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -3...18V
On-state resistance: 136mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.