Продукція > ONSEMI > NVBG075N065SC1
NVBG075N065SC1

NVBG075N065SC1 onsemi

nvbg075n065sc1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+508.99 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVBG075N065SC1 onsemi

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V, Power Dissipation (Max): 139W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVBG075N065SC1 за ціною від 551.50 грн до 931.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVBG075N065SC1 NVBG075N065SC1 Виробник : onsemi nvbg075n065sc1-d.pdf Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+919.20 грн
10+629.06 грн
100+558.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG075N065SC1 NVBG075N065SC1 Виробник : onsemi nvbg075n065sc1-d.pdf SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 56 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 56 mohm, 650 V, M2, D2PAK?7L
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+931.27 грн
10+808.64 грн
25+693.01 грн
50+671.24 грн
100+608.11 грн
250+597.95 грн
500+551.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG075N065SC1 NVBG075N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg075n065sc1-d.pdf SiliconCarbide MOSFET,6mohm,650V Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG075N065SC1 NVBG075N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg075n065sc1-d.pdf Silicon Carbide MOSFET,6mohm,650V Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.