Продукція > ONSEMI > NVBG095N065SC1
NVBG095N065SC1

NVBG095N065SC1 onsemi

nvbg095n065sc1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 12A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 956 pF @ 325 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+393.01 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVBG095N065SC1 onsemi

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 18 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: D2PAK-7, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 4mA, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 12A, 18V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 956 pF @ 325 V.

Інші пропозиції NVBG095N065SC1 за ціною від 397.52 грн до 835.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVBG095N065SC1 NVBG095N065SC1 onsemi nvbg095n065sc1-d.pdf Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 956 pF @ 325 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 12A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+811.17 грн
10+542.36 грн
100+463.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG095N065SC1 NVBG095N065SC1 onsemi NVBG095N065SC1-D.PDF SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+835.45 грн
10+573.87 грн
100+426.42 грн
500+417.96 грн
800+397.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG095N065SC1 nvbg095n065sc1-d.pdf
NVBG095N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 956 pF @ 325 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 12A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+811.17 грн
10+542.36 грн
100+463.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG095N065SC1 NVBG095N065SC1-D.PDF
NVBG095N065SC1
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+835.45 грн
10+573.87 грн
100+426.42 грн
500+417.96 грн
800+397.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.