Продукція > ONSEMI > NVBG1000N170M1
NVBG1000N170M1

NVBG1000N170M1 onsemi

nvbg1000n170m1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SIC 1700V MOS 1O IN TO263-7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 640µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+242.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVBG1000N170M1 onsemi

Description: SIC 1700V MOS 1O IN TO263-7L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 20V, Power Dissipation (Max): 51W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 640µA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 1000 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVBG1000N170M1 за ціною від 229.03 грн до 583.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVBG1000N170M1 NVBG1000N170M1 Виробник : onsemi NVBG1000N170M1_D-3392674.pdf SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, D2PAK-7L
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+502.69 грн
10+435.66 грн
25+351.28 грн
100+314.55 грн
250+298.47 грн
500+276.28 грн
800+234.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG1000N170M1 NVBG1000N170M1 Виробник : onsemi nvbg1000n170m1-d.pdf Description: SIC 1700V MOS 1O IN TO263-7L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 640µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+583.65 грн
10+374.77 грн
25+326.12 грн
100+254.40 грн
250+229.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG1000N170M1 Виробник : ON Semiconductor nvbg1000n170m1-d.pdf SIC 1700V MOS 1O IN TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG1000N170M1 Виробник : ONSEMI nvbg1000n170m1-d.pdf NVBG1000N170M1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.