NVBG160N120SC1 ON Semiconductor
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 824.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVBG160N120SC1 ON Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVBG160N120SC1 за ціною від 751.84 грн до 1311.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVBG160N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVBG160N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVBG160N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVBG160N120SC1 | Виробник : onsemi |
Description: SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 13600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVBG160N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVBG160N120SC1 | Виробник : onsemi |
Description: SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 14024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVBG160N120SC1 | Виробник : onsemi |
MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V |
на замовлення 1270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NVBG160N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 630 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
NVBG160N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
NVBG160N120SC1 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 19.5A, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 Dauer-Drainstrom Id: 19.5 hazardous: false usEccn: Unknown Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 MOSFET-Modul-Konfiguration: Single euEccn: Unknown Verlustleistung: 136 Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: - Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 20 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
товар відсутній |