NVBGS4D1N15MC ON Semiconductor
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1147.02 грн |
| 10+ | 1034.30 грн |
| 25+ | 1020.51 грн |
| 50+ | 919.04 грн |
| 100+ | 784.43 грн |
| 250+ | 737.42 грн |
| 500+ | 687.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVBGS4D1N15MC ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVBGS4D1N15MC за ціною від 699.81 грн до 1387.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVBGS4D1N15MC | Виробник : onsemi |
 MOSFET MOSFET - Single N-Channel 150 V, 4.1 mohm, 185 A D2PAK7 (Pb-Free) |
на замовлення 1328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVBGS4D1N15MC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 20A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVBGS4D1N15MC | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NVBGS4D1N15MC | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 740 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| NVBGS4D1N15MC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 20A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
NVBGS4D1N15MC | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |