Продукція > ONSEMI > NVBLS001N06C
NVBLS001N06C

NVBLS001N06C ONSEMI

ONSM-S-A0015407168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 422 A, 750 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 422A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 284W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+380.45 грн
100+ 328.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVBLS001N06C ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA, Supplier Device Package: 8-HPSOF, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVBLS001N06C за ціною від 328.78 грн до 903.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVBLS001N06C NVBLS001N06C Виробник : onsemi nvbls001n06c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+411.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000
NVBLS001N06C NVBLS001N06C Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0015407168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVBLS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 422 A, 750 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 422A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 284W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+516.01 грн
10+ 380.45 грн
100+ 328.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVBLS001N06C NVBLS001N06C Виробник : onsemi nvbls001n06c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+773.45 грн
10+ 638.61 грн
100+ 532.19 грн
500+ 440.68 грн
1000+ 396.62 грн
NVBLS001N06C NVBLS001N06C Виробник : onsemi NVBLS001N06C_D-2319630.pdf MOSFET NFET TOLL 60V 1.0MO
на замовлення 4531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+794.46 грн
10+ 678.7 грн
25+ 493.37 грн
100+ 447.97 грн
250+ 446.63 грн
500+ 420.6 грн
1000+ 399.9 грн
NVBLS001N06C NVBLS001N06C Виробник : ON Semiconductor nvbls001n06c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+838.59 грн
10+ 713.64 грн
25+ 452.94 грн
NVBLS001N06C NVBLS001N06C Виробник : ON Semiconductor nvbls001n06c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+903.1 грн
16+ 768.53 грн
25+ 487.78 грн
Мінімальне замовлення: 13
NVBLS001N06C Виробник : ON Semiconductor nvbls001n06c-d.pdf
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVBLS001N06C NVBLS001N06C Виробник : ON Semiconductor nvbls001n06c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товар відсутній
NVBLS001N06C NVBLS001N06C Виробник : ON Semiconductor nvbls001n06c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товар відсутній