Продукція > ONSEMI > NVBLS001N06C
NVBLS001N06C

NVBLS001N06C onsemi

nvbls001n06c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+445.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVBLS001N06C onsemi

Description: ONSEMI - NVBLS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 422 A, 900 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 422A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 284W, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018), Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm.

Інші пропозиції NVBLS001N06C за ціною від 374.14 грн до 880.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NVBLS001N06C NVBLS001N06C ONSEMI ONSM-S-A0015407168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVBLS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 422 A, 900 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 422A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 284W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+579.72 грн
100+374.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06C NVBLS001N06C ONSEMI ONSM-S-A0015407168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVBLS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 422 A, 900 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 422A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 284W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+782.83 грн
10+579.72 грн
100+374.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06C NVBLS001N06C onsemi nvbls001n06c-d.pdf MOSFETs NFET TOLL 60V 1.0MO
на замовлення 4440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+851.08 грн
10+583.60 грн
100+422.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06C NVBLS001N06C onsemi nvbls001n06c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+880.15 грн
10+590.00 грн
100+444.93 грн
500+402.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06C ON Semiconductor nvbls001n06c-d.pdf
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06C ONSM-S-A0015407168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVBLS001N06C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 422 A, 900 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 422A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 284W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+579.72 грн
100+374.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06C ONSM-S-A0015407168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVBLS001N06C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 422 A, 900 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 422A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 284W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+782.83 грн
10+579.72 грн
100+374.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06C nvbls001n06c-d.pdf
NVBLS001N06C
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET TOLL 60V 1.0MO
на замовлення 4440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+851.08 грн
10+583.60 грн
100+422.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06C nvbls001n06c-d.pdf
NVBLS001N06C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+880.15 грн
10+590.00 грн
100+444.93 грн
500+402.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06C nvbls001n06c-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.