Продукція > ONSEMI > NVBLS001N06C
NVBLS001N06C

NVBLS001N06C onsemi


nvbls001n06c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+447.44 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVBLS001N06C onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA, Supplier Device Package: 8-HPSOF, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVBLS001N06C за ціною від 404.36 грн до 941.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVBLS001N06C NVBLS001N06C Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0015407168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVBLS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 422 A, 750 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 422A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 284W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+516.63 грн
100+505.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06C NVBLS001N06C Виробник : onsemi NVBLS001N06C_D-1772086.pdf MOSFETs NFET TOLL 60V 1.0MO
на замовлення 4486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+686.64 грн
10+582.92 грн
25+467.89 грн
2000+442.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06C NVBLS001N06C Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0015407168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVBLS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 422 A, 750 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 422A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 284W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+864.07 грн
10+516.63 грн
100+505.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06C NVBLS001N06C Виробник : ON Semiconductor nvbls001n06c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+874.41 грн
10+744.12 грн
25+472.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06C NVBLS001N06C Виробник : onsemi nvbls001n06c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+883.35 грн
10+592.15 грн
100+446.55 грн
500+404.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06C NVBLS001N06C Виробник : ON Semiconductor nvbls001n06c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+941.67 грн
16+801.36 грн
25+508.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06C Виробник : ON Semiconductor nvbls001n06c-d.pdf
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06C NVBLS001N06C Виробник : ON Semiconductor nvbls001n06c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS001N06C NVBLS001N06C Виробник : ON Semiconductor nvbls001n06c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.