NVBLS0D5N04CTXG ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS0D5N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 500 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 198.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 681.68 грн |
| 50+ | 472.82 грн |
| 100+ | 384.01 грн |
| 500+ | 327.57 грн |
| 1000+ | 299.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVBLS0D5N04CTXG ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS0D5N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 500 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 198.4W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm.
Інші пропозиції NVBLS0D5N04CTXG за ціною від 299.55 грн до 722.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NVBLS0D5N04CTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVBLS0D5N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 500 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 198.4W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm |
на замовлення 1674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NVBLS0D5N04CTXG | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 65A/300A 8HPSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 198.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 475µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Part Status: Active Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NVBLS0D5N04CTXG | onsemi |
MOSFETs T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.5 MOHMS MAX |
на замовлення 864 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| NVBLS0D5N04CTXG | ON Semiconductor |
|
на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVBLS0D5N04CTXG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS0D5N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 500 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 198.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
Description: ONSEMI - NVBLS0D5N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 500 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 198.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 681.68 грн |
| 50+ | 472.82 грн |
| 100+ | 384.01 грн |
| 500+ | 327.57 грн |
| 1000+ | 299.55 грн |
| NVBLS0D5N04CTXG |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 65A/300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 198.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 475µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 65A/300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 198.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 475µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 700.95 грн |
| 10+ | 463.94 грн |
| 100+ | 352.22 грн |
| NVBLS0D5N04CTXG |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.5 MOHMS MAX
MOSFETs T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.5 MOHMS MAX
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 722.80 грн |
| 10+ | 470.12 грн |
| 100+ | 329.15 грн |
| 1000+ | 311.53 грн |
| NVBLS0D5N04CTXG |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)