NVBLS1D1N08H onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 545.93 грн |
| 10+ | 374.20 грн |
| 100+ | 284.79 грн |
| 500+ | 255.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVBLS1D1N08H onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA, Supplier Device Package: 8-HPSOF, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVBLS1D1N08H за ціною від 279.56 грн до 594.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVBLS1D1N08H | Виробник : onsemi |
MOSFETs T8-80V IN TOLL |
на замовлення 3114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| NVBLS1D1N08H | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 438 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| NVBLS1D1N08H | Виробник : ON Semiconductor |
Single N-Channel Power MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| NVBLS1D1N08H | Виробник : ON Semiconductor |
Single N-Channel Power MOSFET Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
NVBLS1D1N08H | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 351 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 311 Bauform - Transistor: MO-299A Anzahl der Pins: 9 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| NVBLS1D1N08H | Виробник : ONSEMI |
NVBLS1D1N08H SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
|
NVBLS1D1N08H | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |