Продукція > ONSEMI > NVBLS1D2N08XTXG
NVBLS1D2N08XTXG

NVBLS1D2N08XTXG onsemi

nvbls1d2n08x-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 299A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 475µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8618 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+215.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVBLS1D2N08XTXG onsemi

Description: ONSEMI - NVBLS1D2N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 299A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, Verlustleistung: 197W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm.

Інші пропозиції NVBLS1D2N08XTXG за ціною від 203.69 грн до 412.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NVBLS1D2N08XTXG NVBLS1D2N08XTXG ONSEMI 4591284.pdf Description: ONSEMI - NVBLS1D2N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+248.33 грн
500+221.43 грн
1000+203.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D2N08XTXG NVBLS1D2N08XTXG onsemi nvbls1d2n08x-d.pdf Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 80
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 299A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 475µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8618 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.29 грн
10+289.92 грн
25+267.74 грн
100+228.32 грн
250+219.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D2N08XTXG NVBLS1D2N08XTXG ONSEMI 4591284.pdf Description: ONSEMI - NVBLS1D2N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 197W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+401.28 грн
10+320.70 грн
100+248.33 грн
500+221.43 грн
1000+203.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D2N08XTXG NVBLS1D2N08XTXG onsemi nvbls1d2n08x-d.pdf MOSFETs T10 80V SG TOLL
на замовлення 3036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+412.79 грн
10+287.75 грн
100+218.50 грн
1000+205.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D2N08XTXG 4591284.pdf
NVBLS1D2N08XTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS1D2N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+248.33 грн
500+221.43 грн
1000+203.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D2N08XTXG nvbls1d2n08x-d.pdf
NVBLS1D2N08XTXG
Виробник: onsemi
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 80
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 299A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 475µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8618 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+393.29 грн
10+289.92 грн
25+267.74 грн
100+228.32 грн
250+219.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D2N08XTXG 4591284.pdf
NVBLS1D2N08XTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS1D2N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 197W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+401.28 грн
10+320.70 грн
100+248.33 грн
500+221.43 грн
1000+203.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D2N08XTXG nvbls1d2n08x-d.pdf
NVBLS1D2N08XTXG
Виробник: onsemi
MOSFETs T10 80V SG TOLL
на замовлення 3036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+412.79 грн
10+287.75 грн
100+218.50 грн
1000+205.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.