Продукція > ONSEMI > NVBLS1D5N10MCTXG

NVBLS1D5N10MCTXG ONSEMI

Name: NVBLS1D5N10MCTXG
Brand: ONSEMI
SKU: 11598544-6
Price: 3683.90 UAH
Availability: InStock

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 331W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm

на замовлення 1260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	368.39 грн
100+	280.40 грн
500+	255.79 грн
1000+	231.89 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NVBLS1D5N10MCTXG ONSEMI

Description: ONSEMI - NVBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 331W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm.

Інші пропозиції NVBLS1D5N10MCTXG за ціною від 224.84 грн до 580.54 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

NVBLS1D5N10MCTXG

ONSEMI

Description: ONSEMI - NVBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 331W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm

на замовлення 1260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	541.07 грн
10+	368.39 грн
100+	280.40 грн
500+	255.79 грн
1000+	231.89 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D5N10MCTXG

onsemi

Description: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 331W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 983 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	557.43 грн
10+	364.22 грн
100+	266.52 грн
500+	243.63 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D5N10MCTXG

onsemi

MOSFETs PTNG 100V STD TOLL

на замовлення 5368 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	580.54 грн
10+	388.25 грн
100+	247.39 грн
500+	240.35 грн
1000+	224.84 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D5N10MCTXG

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 1500 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 331W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm

на замовлення 1260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	541.07 грн
10+	368.39 грн
100+	280.40 грн
500+	255.79 грн
1000+	231.89 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D5N10MCTXG

Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 331W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 983 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	557.43 грн
10+	364.22 грн
100+	266.52 грн
500+	243.63 грн

В кошику од. на суму грн.

NVBLS1D5N10MCTXG

Виробник: onsemi
MOSFETs PTNG 100V STD TOLL

на замовлення 5368 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	580.54 грн
10+	388.25 грн
100+	247.39 грн
500+	240.35 грн
1000+	224.84 грн

В кошику од. на суму грн.