NVBLS1D5N10MCTXG onsemi
Виробник: onsemiDescription: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 331W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 233.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVBLS1D5N10MCTXG onsemi
Description: ONSEMI - NVBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 331W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NVBLS1D5N10MCTXG за ціною від 224.12 грн до 549.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVBLS1D5N10MCTXG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 331W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NVBLS1D5N10MCTXG | Виробник : onsemi |
Description: PTNG 100V STD TOLL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 331W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NVBLS1D5N10MCTXG | Виробник : onsemi |
MOSFETs PTNG 100V STD TOLL |
на замовлення 7155 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NVBLS1D5N10MCTXG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 331W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NVBLS1D5N10MCTXG | Виробник : ON Semiconductor |
N-Channel Power Trench MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| NVBLS1D5N10MCTXG | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; Idm: 900A; 165W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 165W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 131nC On-state resistance: 1.5mΩ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 300A Pulsed drain current: 900A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| NVBLS1D5N10MCTXG | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; Idm: 900A; 165W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 165W Case: H-PSOF8L Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 131nC On-state resistance: 1.5mΩ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 300A Pulsed drain current: 900A |
товару немає в наявності |