NVBLS1D5N10MCTXG ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 331W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 378.81 грн |
| 100+ | 328.46 грн |
| 500+ | 256.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVBLS1D5N10MCTXG ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 331W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NVBLS1D5N10MCTXG за ціною від 235.42 грн до 560.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NVBLS1D5N10MCTXG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 331W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NVBLS1D5N10MCTXG | Виробник : onsemi |
Description: PTNG 100V STD TOLL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 331W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NVBLS1D5N10MCTXG | Виробник : onsemi |
MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET, 100V, 300A, 1.5mohm N-Channel PowerTrench MOSFET, 100V, 300A, 1.5mohm |
на замовлення 7746 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NVBLS1D5N10MCTXG | Виробник : ON Semiconductor |
N-Channel Power Trench MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| NVBLS1D5N10MCTXG | Виробник : ONSEMI |
NVBLS1D5N10MCTXG SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
NVBLS1D5N10MCTXG | Виробник : onsemi |
Description: PTNG 100V STD TOLL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 331W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |