
NVBLS1D7N08H onsemi

Description: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 241.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 237.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 396.15 грн |
10+ | 263.44 грн |
100+ | 189.37 грн |
500+ | 148.08 грн |
1000+ | 146.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVBLS1D7N08H onsemi
Description: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 241.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 237.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA, Supplier Device Package: 8-HPSOF, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVBLS1D7N08H за ціною від 159.99 грн до 433.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NVBLS1D7N08H | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 4443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NVBLS1D7N08H | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
NVBLS1D7N08H | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
NVBLS1D7N08H | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
NVBLS1D7N08H | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 241.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 237.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |