Продукція > ONSEMI > NVBLS1D7N08H
NVBLS1D7N08H

NVBLS1D7N08H onsemi

nvbls1d7n08h-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 241.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 237.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+152.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVBLS1D7N08H onsemi

Description: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 241.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 237.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA, Supplier Device Package: 8-HPSOF, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVBLS1D7N08H за ціною від 146.62 грн до 340.9 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVBLS1D7N08H NVBLS1D7N08H Виробник : onsemi nvbls1d7n08h-d.pdf Description: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 241.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 237.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+313.93 грн
10+ 253.71 грн
100+ 205.28 грн
500+ 171.24 грн
1000+ 146.62 грн
NVBLS1D7N08H NVBLS1D7N08H Виробник : onsemi NVBLS1D7N08H_D-2319345.pdf MOSFET MOSFET - Power, Single N-Channel, TOLL 80 V, 1.7 mohm, 241 A
на замовлення 4923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+340.9 грн
10+ 282.69 грн
100+ 198.77 грн
500+ 176.91 грн
1000+ 151.73 грн
2000+ 151.07 грн
NVBLS1D7N08H NVBLS1D7N08H Виробник : ON Semiconductor nvbls1d7n08h-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 33A Automotive 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
товар відсутній
NVBLS1D7N08H NVBLS1D7N08H Виробник : ON Semiconductor nvbls1d7n08h-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 33A Automotive 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
товар відсутній