Продукція > ONSEMI > NVBLS1D7N10MCTXG
NVBLS1D7N10MCTXG

NVBLS1D7N10MCTXG ONSEMI

4073642.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS1D7N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 265 A, 1800 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 303W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+343.72 грн
100+256.56 грн
500+219.14 грн
1000+188.89 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVBLS1D7N10MCTXG ONSEMI

Description: ONSEMI - NVBLS1D7N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 265 A, 1800 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 265A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 303W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm.

Інші пропозиції NVBLS1D7N10MCTXG за ціною від 186.07 грн до 519.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NVBLS1D7N10MCTXG NVBLS1D7N10MCTXG onsemi NVBLS1D7N10MC-D.PDF MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET, 100V, 300A, 1.5mohm
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+480.22 грн
10+336.38 грн
100+218.50 грн
1000+215.68 грн
2000+186.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D7N10MCTXG NVBLS1D7N10MCTXG ONSEMI 4073642.pdf Description: ONSEMI - NVBLS1D7N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 265 A, 1800 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 303W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+507.36 грн
10+343.72 грн
100+256.56 грн
500+219.14 грн
1000+188.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D7N10MCTXG NVBLS1D7N10MCTXG onsemi nvbls1d7n10mc-d.pdf Description: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.4A (Ta), 265A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 303W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 698µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+519.37 грн
10+337.80 грн
100+246.09 грн
500+221.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D7N10MCTXG NVBLS1D7N10MC-D.PDF
NVBLS1D7N10MCTXG
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET, 100V, 300A, 1.5mohm
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+480.22 грн
10+336.38 грн
100+218.50 грн
1000+215.68 грн
2000+186.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D7N10MCTXG 4073642.pdf
NVBLS1D7N10MCTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS1D7N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 265 A, 1800 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 303W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+507.36 грн
10+343.72 грн
100+256.56 грн
500+219.14 грн
1000+188.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D7N10MCTXG nvbls1d7n10mc-d.pdf
NVBLS1D7N10MCTXG
Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.4A (Ta), 265A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 303W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 698µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+519.37 грн
10+337.80 грн
100+246.09 грн
500+221.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.